产品名称：陶瓷覆铜基板

产品概述：DBC与 AMB 均由陶瓷基材与铜层精密结合而成，具备高绝缘、高导热、大电流承载、机械强度高的特点，是功率半导体模块、新能源电控、储能、工控设备核心封装基材。

产品分类： DBC （直接键合铜基板/直接覆铜陶瓷基板） 1.工艺原理：利用铜-氧共晶反应原理，在高温（1065-1083℃）含氧气氛下， 将无氧铜箔直接冶金键合到陶瓷表面的覆铜基板技术，是功率模块封装的主流成熟方案。 2.产品特性：工艺成熟稳定、量产性强、性价比高；铜层结合均匀，导电载流 能力强；绝缘性能优良，整体结构简洁，加工定制灵活； 3.基材类型：主要采用氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷作为基底，适配不同散热需求； 4.适用场景：广泛应用于工业变频器、开关电源、普通 IGBT 模块、光伏逆变 器、家电电控、中低功率电力电子设备。 AMB（活性金属钎焊基板） 1.工艺原理：通过含活性元素（Ti/Zr/V）的钎料（如 Ag-Cu-Ti），在真空环境下 （800-900℃）将铜箔与陶瓷基板冶金焊接的高端覆铜技术，是 SiC/GaN 第三代半导体模块的优选方案； 2.产品特性：结合强度极高，耐冷热冲击、抗疲劳、抗分层性能优异；界面空 洞率低，导热性能更佳；功率循环寿命长，适配严苛工况； 3.基材类型：主流搭配氮化硅陶瓷、氮化铝陶瓷，高强韧、高导热，可靠性等 级更高； 4.适用场景：多用于新能源汽车主驱模块、碳化硅高端功率器件、轨道交通、 储能变流器、军工航天、高压高功率精密电子设备。